这里 也附带说明一下。虽说A501的振膜从外观上看起来同A502差异不大。但振膜的材质是不一样的。501的弹性膜量明显差了好多。而在磁路等方面也有着较 大的差异.可以说这是两个不同的单元了.那么接着说下去，在SEAS的H702上面有着一个相对明显的问题。就是由折环共振产生的一个中频谷。这个谷值在 1-2K间。并且从阻抗曲线上也反映出来了。那么贵族一号所用的单元上是否存在这个问题呢，其实没有，严格一些的话也不能说没有，只是没有显示出来，这是 因为在贵族的一号箱的单元上在振膜的边缘同折环上涂了一层阻尼胶来限制了折环的共振使之影响变得很小。这一问题在H702上是比较明显的。那么在我们的 A502上我们是这么作的一项改进。同样采取了涂胶。但涂的是折环的背面。也达到了同样的效果。

      在磁路方面，由于为了使用的振膜刚性高密度相对在增加在振动质量上也不算轻，这会带来灵敏度的下降，同时使用了较厚的华司为的是增加线性磁路。从而增加 扬声器的线性位移，但由于华司变厚也让磁隙内的磁通密度下降，为了解决这些问题。T铁和华司都使用了低碳钢以降低磁阻，并且使用了较大的磁体来提升磁隙内 的磁通密度。从而保证扬声器的灵敏度不至于太低。

      在高音单元是德国的LPG的库存高音，因为性价比不错所以就准备使用上了。实际在拆开这些高音时发现工艺其实还可以的。并且测了一下上箱的频响，也过关。下图是这高音的上箱频响。

     这款高音使用的磁液还是偏多了些。使音圈的移动阻力增大影响了细节的从现并且在动态下的增益不足。显得高频不够细致质感上还是有着一定的不足。不过要想用很好的高音只怕这个价格也拿不到。

     由于单元的确立就是进行了箱体的设计。在箱体的大小上同1号箱的低音有着一些差异所以决定了箱体的大小上多少还是有些差异的，箱体设计部份充份充份 发挥单元低频的下潜。目的不是让箱体一味的重放更多的低频。而是在更保真的前提下。首先设计箱体的下限及低端的Q值，为了低频群延迟的不增加，及箱体大小 抬升了一点Q的作法来提升箱子的下限，面给出一些设计资料。

     在这个基础上又进行了箱子的优化设计，包括吸音棉的填充量及吸材料的吸音系数的确定，还有箱体的比例及箱内简正波的影响 导相管的大小调谐频率等的一些优化设计及多次调整。同时也进行了单元上箱后的频响及边角衍射对频响的影响，进行了单元位置的设计。又是图，看吧！！哈！！ 箱内简正情况及低音单体上箱后变化的走向和近场情况的分析。

     单元的面板位置，用于模拟箱体的樟板及边角衍射对于高低音频响上的影响，从而选择一个较好的安装位置.实际选择的方案和贵族一号箱子的位置不谋而合。有兴 趣的朋友可以对照看一下上面的单元实测曲线，虽然这会受高音单元的面板影响在更高的频率处有少许差异。但大体上显示出了较高的模拟精度。并且后期的设计中 单元的工作频段受到的频响较少.

    在样箱上作了单元的上箱频响和阻抗的测试及分频的模拟设计，高通使用了三阶衰减在滤波前这样可以降低分频点处的Q使频响更好的结合。分频点在4K采取个频 率仍就是尽量让这个25芯的高音能够更保真的重放声音。在功率加大后仍旧保持其增益。虽然采取这样的方安会在5K时会出现因为同低音的高端这里由于相位差 而产生的一个小谷值。但由于谷值相对不大，且利处更多所以不再作过多的更改。且更有趣的是，这样的方案在高通的分频线路及参数上同贵族的一号箱子一样。而 在低通部份整个分频线路的结构同贵族的一号箱子也是一样的。甚至在分频的线路及元件参都上都一样。但由于单元的差异性造成502在上箱后中音的抬起部份使 用了一个RCL的阻抗补尝线路。目的是通过这个线路的加入对502的中频抬起部份进行修整，由于RCL的加入会对该设计频段的电压增益产生下降。从而在频 响上的抬起部份得到有效的降低，下面是分频的模拟图。限于编幅不提供分频的详细资料。

     离轴响应的模拟。设计让箱子的离轴响应曲线不能有太大的变化对于声音的定位及音乐中的细节提升和质感都是有相当大的帮助.

      确立的分频器的参数后进行了分频器的安装及最终的上箱实测，及电容的选择，并且实听，从实听的听感上完全达到了预期设计目标，至此箱子已完成定型。下面送 上箱子的实测的一些相关的数据。分别是频响阻抗图和落水图。在完成箱子后有趣的一个发现是。这次的仿箱在频响上竟然同贵族的原厂箱的差异竟然是那么的小。