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----  [求助]高频下跌!  (http://874085.11480.vipsjym.com.my3w.com/bbs/dispbbs.asp?boardid=31&id=16825)

--  作者:夏天不热
--  发布时间:2009-8-29 13:20:44
--  [求助]高频下跌!
 有款背极式产品,从4000hz处开始下跌,到10K出已经下跌10~13个dB!

 拆开发现膜片上有小孔(像外壳放下凹下),但是没有穿孔,这种是吸膜的表现吗?

 之前有看过帖子,吸膜的话应该是低频处下跌呀?


  那位高人能给我解答下?
--  作者:庄子曰
--  发布时间:2009-8-29 14:09:22
--  
吸膜的麦克风,采用BK 50CM测试,就是表现为“高频下跌”;
你可以测试看看。

--  作者:夏天不热
--  发布时间:2009-8-29 14:30:15
--  
那您指的是消声室测试?

但是我总觉得,吸膜应该是低频下跌吧?


--  作者:庄子曰
--  发布时间:2009-9-1 11:26:44
--  
 使用SoundCheck测试,也是 高频曲线 下跌。
低频有影响,但不大。

--  作者:hero
--  发布时间:2009-9-2 12:22:06
--  

使用自由场测试表现为高频曲线下跌,低频一般是漏气的状态才会出现的。


--  作者:夏天不热
--  发布时间:2009-9-2 19:49:27
--  
  针对吸膜问题各位老师有没有什么改善方法?

  我觉得降低极板充电值不是唯一可行的吧?这样的话感度又做不上去!!

 
--  作者:Amare
--  发布时间:2009-9-4 19:58:33
--  
以下是引用夏天不热在2009-08-29 13:20:44的发言:
 有款背极式产品,从4000hz处开始下跌,到10K出已经下跌10~13个dB!

 拆开发现膜片上有小孔(像外壳放下凹下),但是没有穿孔,这种是吸膜的表现吗?

 之前有看过帖子,吸膜的话应该是低频处下跌呀?


  那位高人能给我解答下?


吸膜是高频下跌
通俗的讲即是膜片对高频信号反应不灵敏
(振膜幅度受限了么,电容改变减小,当然输出的交流电压值变小)
对于充电电压和灵敏度本来就是相互制约的
研究了好久至今没有得出量化结果

灵敏度与电容间得电场强度成正比
即E=U/d
一般情况下驻极体是有个充电极限的 再冲电场力过大就直接导致吸膜
所以通常改变d的值
d的值小 膜片和背极之间的距离太小 高频振幅一大也会吸膜
所以只能找其中的平衡点

个人认为决定因素为以下两点
1.膜的性能  振膜张力
                膜片阻抗(即金层厚度) 试想极端的情况 电容两端一端是背极 一端是绝缘体 是否还会有交变电压产生?!
2.驻极体     充电密度 将d加高  再冲高电压 增强电场 又不至于吸膜
3.FET       放大倍数


--  作者:haifenggu
--  发布时间:2010-1-5 9:32:37
--  

在高频段,吸膜 凹膜导致默片变化的距离减小,产生相对小的电容变化量,进而产生较小的电压信号,灵敏度偏低。


--  作者:jemyc
--  发布时间:2010-1-8 21:28:55
--  
樓上的回答很是雷人,似乎吸膜在低頻段就不吸膜了???
應該是低頻與高頻聲波的波長不一樣所致!!
--  作者:roy206
--  发布时间:2010-1-18 19:00:17
--  

高频下跌,除了吸膜之外,还有什么原因啊