双极晶体管只有ＮＰＮ和ＰＮＰ两种类型，ＦＥＴ的分类则稍微复杂。

ＦＥＴ按照结构可以分为结型ＦＥＴ（ＪＦＥＴ：ＪｕｎｃｔｉｏｎＦＥＴ）和绝缘栅ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ：ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦＥＴ）。

按照电学特性，ＭＯＳＦＥＴ又可以分为耗尽型（ｄｅｌｅｔｉｏｎ）与增强型（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ）两类。它们又可以进一步分为Ｎ沟型（与双极晶体管的ＮＰＮ型相当）和Ｐ沟型（与双极晶体管的ＰＮＰ型相当）。从实际ＦＥＴ的型号中完全看不出ＪＦＥＴ与ＭＯＳＦＥＴ、耗尽型与增强型的区别。仅仅是Ｎ沟器件为２ＳＫ×××（也有双栅的３ＳＫ×××），Ｐ沟器件为２ＳＪ×××，以区别Ｎ沟和Ｐ沟器件。

ＦＥＴ的种类

（ＦＥＴ分为ＪＦＥＴ和ＭＯＳＦＥＴ。ＭＯＳＦＥＴ按照电学特性又分为耗尽型和增强型，它们各自又有Ｎ沟型和Ｐ沟型）２．２．２ＦＥＴ的结构

ＦＥＴ的结构

（ＪＦＥＴ工作时栅极与沟道间的二极管处于截止状态，所以几乎没有电流流过栅极。ＭＯＳＦＥＴ的栅极与沟道间有绝缘膜，电流的流动更困难）

双极晶体管的基极发射极间以及基极集电极间分别是两个ＰＮ结，就是说存在着二极管。ＪＦＥＴ的栅极与沟道（把输出电路流过漏极源极间的部分称为沟道）间有ＰＮ结，所以认为存在着二极管（由于有ＰＮ结，所以称为结型ＦＥＴ）。 

晶体管的ＰＮ结

（晶体管有两个ＰＮ结。可以把ＰＮ结看作是二极管，晶体管可以认为是基极发射极间以及基极集电极间各有一个二极管）

双极晶体管的基极发射极间的二极管总是工作在导通状态，而ＪＦＥＴ的栅极沟道间的二极管工作在截止状态。

因此ＦＥＴ的栅极沟道间流过的电流很小，只相当于二极管的反向漏电流，所以器件本身的输入阻抗比双极晶体管高得多（约１０８～１０１２Ω）。

ＭＯＳＦＥＴ的栅极是由金属构成的，它与半导体沟道之间有一层绝缘膜，形成三层结构。所谓ＭＯＳ，就是因为实际的结构是由金属（Ｍ）、绝缘膜（如氧化膜，Ｏ）和半导体（Ｓ）组成。

ＭＯＳＦＥＴ的特点是栅极与沟道间有绝缘膜，栅极与沟道是绝缘的，所以流过栅极的电流比ＪＦＥＴ还要小很多。因此，输入阻抗也比ＪＦＥＴ高得多（约１０１２～１０１４Ω）。

ＦＥＴ的电路符号

晶体管电路符号中的箭头表示电流流动的方向，而ＦＥＴ的箭头不代表电流的方向，仅仅表示极性。

ＦＥＴ的电路符号

（晶体管的电路符号中的箭头表示电流流动的方向，而ＦＥＴ的箭头不表示电流的方向，仅仅表示极性）

ＪＦＥＴ在结构和电路符号上都没有标记出漏极与源极的区别，这就是说它们没有区别。
一般来说ＪＦＥＴ的漏极与源极间即使相互调换也能够正常工作。

２．９的电路中使用的ＦＥＴ实际上就是ＪＦＥＴ。这个电路中，即使将源极与漏极互换对于器件的工作以及性能没有任何影响。
之所以与晶体管不同，是因为ＪＦＥＴ的源极与漏极之间没有ＰＮ结，是由同一导电类型的半导体（Ｎ沟器件是Ｎ型，Ｐ沟器件是Ｐ型）制作的。
但是，制造高频应用的ＪＦＥＴ器件时源极与漏极的形状有物理性的变化， 两个ＦＥＴ串联连接（称为级联）时，漏极与源极有区别，如果调换就无法工作。

ＭＯＳＦＥＴ的漏极与源极的结构和符号都有区别。因此，就不能将漏极与源极调换工作。

ＪＦＥＴ的传输特性
ＦＥＴ是通过栅极上所加的电压控制漏极源极间电流的电压控制器件。
描述ＦＥＴ性质最常用的方法是叫做传输特性的曲线，它表示漏极电流Id与栅极源极间电压ＧＳ的关系。

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