以下是引用夏天不热在2009-08-29 13:20:44的发言：
有款背极式产品,从4000hz处开始下跌,到10K出已经下跌10~13个dB！
拆开发现膜片上有小孔(像外壳放下凹下),但是没有穿孔,这种是吸膜的表现吗?
之前有看过帖子,吸膜的话应该是低频处下跌呀？
那位高人能给我解答下?
吸膜是高频下跌
通俗的讲即是膜片对高频信号反应不灵敏
(振膜幅度受限了么,电容改变减小,当然输出的交流电压值变小)
对于充电电压和灵敏度本来就是相互制约的
研究了好久至今没有得出量化结果
灵敏度与电容间得电场强度成正比
即E=U/d
一般情况下驻极体是有个充电极限的 再冲电场力过大就直接导致吸膜
所以通常改变d的值
d的值小 膜片和背极之间的距离太小 高频振幅一大也会吸膜
所以只能找其中的平衡点
个人认为决定因素为以下两点
1.膜的性能 振膜张力
膜片阻抗(即金层厚度) 试想极端的情况 电容两端一端是背极 一端是绝缘体 是否还会有交变电压产生?!
2.驻极体 充电密度 将d加高 再冲高电压 增强电场 又不至于吸膜
3.FET 放大倍数
加好友 
发短信
Post By：2009-9-4 19:58:33 [显示全部帖子]
